基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng)，機(jī)車輔助電源，儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī)，超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器，高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M030120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP，B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
NPC（Neutral Point Clamped）三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。近年來隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展，NPC三電平技術(shù)開始越來越多的應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓?fù)涑Ｓ玫挠袃煞N結(jié)構(gòu)，就是我們常說的“I”字型（也稱NPC1）和“T”字型（也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一種NPC1的改進(jìn)型，這些年隨著器件的發(fā)展，ANPC也開始有一些適合的應(yīng)用。
在分時(shí)電價(jià)完善、峰谷電價(jià)差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng)下，工商業(yè)儲(chǔ)能的經(jīng)濟(jì)性明顯提升。工商業(yè)儲(chǔ)能是用戶側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的主要類型之一，可以大化提升光伏自發(fā)自用率，降低工商業(yè)業(yè)主的電費(fèi)開支，助力企業(yè)節(jié)能減排。
工商業(yè)儲(chǔ)能裝機(jī)有望在政策鼓勵(lì)、限電刺激、電價(jià)改革等利好因素刺激下進(jìn)入高速增長期，復(fù)合增速有望持續(xù)飆升。
基本半導(dǎo)體混合IGBT單管在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用指南：
工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器：
1、主要功率點(diǎn)位：35kW、50kW、70kW（35kW兩模塊并）、100kW（50kW模塊兩并）、125kW（62.5kW模塊兩并），功率點(diǎn)位的選擇主要取決于電池容量，都是標(biāo)準(zhǔn)值；
2、T型三電平是主流方案，出于競爭力考量，采用分立器件IGBT；T型三電平的開關(guān)頻率，目前主要在16-20kHz之間
3、35kW單機(jī)方案：TO-247封裝單管IGBT是現(xiàn)階段主力，橫管用650V 50AIGBT兩并聯(lián)，豎管用1200V 40A IGBT 3顆并聯(lián)或者1200V 25A IGBT 4顆并聯(lián)。
4、單機(jī)功率要躍遷到50kW和62.5kW，純硅IGBT的并聯(lián)個(gè)數(shù)太多，不符合客戶的利益要求，功率越往上走，客戶有很強(qiáng)的動(dòng)力減少IGBT單管的數(shù)量，混合IGBT具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢，橫管豎管都使用混合IGBT，可以大限度壓低IGBT開通電阻，降低IGBT開關(guān)損耗，大限度發(fā)揮混管的性能?？蛻魧GBT的開通關(guān)斷電阻分開，如果橫管跟豎管同時(shí)選擇混管，理論上可以將開通電阻調(diào)到0Ω，大大降級IGBT的損耗，這么一來，可以縮小混管跟全碳MSOFET在這種方案中的差距，大程度發(fā)揮混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案現(xiàn)階段評估成本還太高，無法干過混管?；旃茉诂F(xiàn)有方案中具有較強(qiáng)的發(fā)展?jié)摿蜕Α?/div>
橫管混合IGBT選型推薦：BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
豎管混合IGBT選型推薦：BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低，適用于儲(chǔ)能（ESS）、車載充電器（OBC）、不間斷電源（UPS）、光伏組串逆變器等領(lǐng)域。